MMUN2233LT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, SMD NPN; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-55°C to +150°C; Case Style:3-SOT-23; Pins, No. of:3
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 80 , Коэффициент усиления по току, max 200 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность250 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min80
-
Коэффициент усиления по току, max200
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236