2N5415 / Microchip
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 10 Вт, Напряжение КЭ максимальное 200 В, Ток коллектора 1 А, Коэффициент усиления по току, min 30 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5
Предлагаем замену
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность10 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное200 В
-
Ток коллектора1 А
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-5