2N5415 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Биполярный транзистор - [TO-39-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 200 В; UКЭ(пад): 2.5 В; IК(макс): 1 А; Pрасс: 10 Вт; Fгран: 15 МГц
Корпус TO39 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 10 Вт, Напряжение КЭ максимальное 200 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 2.5 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 15 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Коэффициент усиления по току, max 150 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO39
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность10 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное200 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии2.5 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота15 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
Коэффициент усиления по току, max150
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39