NCEP12N10AQ / NCE POWER SEMICONDUCTOR
NCE POWER SEMICONDUCTOR
Добавить к сравнению
Корпус DFN83X3 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 46 А, Сопротивление открытого канала (мин) 12.1 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 12.1 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 12.9 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Заряд затвора 42 нКл, Рассеиваемая мощность 56 Вт, Ёмкость затвора 2 050 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусDFN83X3
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C46 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)12.1 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min12.1 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max12.9 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Заряд затвора42 нКл
-
Рассеиваемая мощность56 Вт
-
Ёмкость затвора2 050 пФ