NCEP18N10AQ / NCE POWER SEMICONDUCTOR
NCE POWER SEMICONDUCTOR
Добавить к сравнению
Корпус DFN83X3 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 100 В, Ток стока номинальный при 25°C 35 А, Сопротивление открытого канала (мин) 16 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 16 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 18 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min -20 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 20 В, Заряд затвора 37.6 нКл, Рассеиваемая мощность 48 Вт, Ёмкость затвора 1 719.5 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусDFN83X3
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток100 В
-
Ток стока номинальный при 25°C35 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)16 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min16 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max18 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min-20 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max20 В
-
Заряд затвора37.6 нКл
-
Рассеиваемая мощность48 Вт
-
Ёмкость затвора1 719.5 пФ