Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

BC847CDW1T1

BC847CDW1T1 / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус SOT236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 380 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420 , Коэффициент усиления по току, max 800 , Примечание General Purpose Transistor Dual NPN

Предлагаем замену

BC847CDW1T1G

BC847CDW1T1G (ONS) 2,42

Характеристики

Корпус

SOT236
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

380 мВт
Напряжение КЭ максимальное

45 В
Ток коллектора

100 мА
Граничная рабочая частота

100 МГц
Коэффициент усиления по току, min

420
Коэффициент усиления по току, max

800
Примечание

General Purpose Transistor Dual NPN

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 04.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 04.08.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰