BC847CDW1T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SOT363 , Тип проводимости и конфигурация 2 NPN , Рассеиваемая мощность 380 мВт, Напряжение КЭ максимальное 45 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 100 МГц, Коэффициент усиления по току, min 420 , Коэффициент усиления по току, max 800 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT363
-
Тип проводимости и конфигурация2 NPN
-
Рассеиваемая мощность380 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное45 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота100 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min420
-
Коэффициент усиления по току, max800
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon