BSS138LT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET, N, 50V, SOT-23; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:50V; Current, Id Cont:0.2A; Resistance, Rds On:3.5ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:5V; Voltage, Vgs th Typ:1.5V; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Power, Pd:0.225W; Voltage, Vds Max:50V
Корпус SOT23 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 50 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 200 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 3.5 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 5.6 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 10 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 5 В, Максимальное напряжение затвора 20 В, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Примечание NFET SOT23 50V 200MA 3.5O , Ёмкость затвора 50 пФ
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток50 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса200 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)3.5 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min5.6 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max10 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max5 В
-
Максимальное напряжение затвора20 В
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
ПримечаниеNFET SOT23 50V 200MA 3.5O
-
Ёмкость затвора50 пФ