MMBTA56LT1 / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

TRANSISTOR, PNP SOT-23; Transistor Type:Small Signal General Purpose; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:80V; Current, Ic Continuous a Max:0.5A; Voltage, Vce Sat Max:0.25V; Hfe, Min:100; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Current, Ic Max:0.5A; Current, Ic hFE:100mA; Marking, SMD:2GM; Pins, No. of:3; Power, Ptot:225mW; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:80V; Width, Tape:8mm; ft, Min:50MHz

Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 300 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 50 МГц, Коэффициент усиления по току, min 80 , Коэффициент усиления по току, max 100 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB

Предлагаем замену

MMBTA56LT1G (ONS) 2,39

MMBTA56 (MCC) 1,22

Описания и документация

MMBTA55LT1-Ddl.pdf

Характеристики

Корпус

SOT23
Тип проводимости и конфигурация

PNP
Рассеиваемая мощность

300 мВт
Напряжение КЭ максимальное

80 В
Ток коллектора

500 мА
Граничная рабочая частота

50 МГц
Коэффициент усиления по току, min

80
Коэффициент усиления по току, max

100
Примечание

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB