MMBTH10LT1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, NPN; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:25V; Current, Ic Continuous a Max:4A; Voltage, Vce Sat Max:0.5V; Power Dissipation:225mW; Hfe, Min:60; ft, Typ:650MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Power, Ptot:0.3W
Корпус SOT23 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Ток коллектора 25 мА, Граничная рабочая частота 650 МГц, Коэффициент усиления по току, min 60 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-236
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность225 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Ток коллектора25 мА
-
Граничная рабочая частота650 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min60
-
ПримечаниеRF Small Signal Bipolar Transistor, 0.025A I(C), 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-236