Новости Контакты Юридическим лицам Как купить Оплата Доставка Помощь Что с моим заказом?

вход / регистрация

Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста

MMBTH10LT3G

MMBTH10LT3G / ON Semiconductor

Не поставляется

Добавить к сравнению

Корпус TO236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Граничная рабочая частота 650 МГц, Коэффициент усиления по току, min 60 , Примечание RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-236

Предлагаем замену

MMBTH10LT1G

MMBTH10LT1G (ONS) 2,38

MMBTH10LT1

MMBTH10LT1 (ONS) 3,57

Для MMBTH10-TP Micro Commercial Components фотографии временно нет

MMBTH10-TP (MCC) 1,66

Описания и документация

MMBTH10LT1-D1.pdf

Характеристики

Корпус

TO236
Тип проводимости и конфигурация

NPN
Рассеиваемая мощность

225 мВт
Напряжение КЭ максимальное

25 В
Граничная рабочая частота

650 МГц
Коэффициент усиления по току, min

60
Примечание

RF Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, TO-236

Москва
Санкт-Петербург
Мурманск
Ульяновск
Новосибирск
Екатеринбург
Краснодар
Нижний Новгород
Воронеж
Уфа
Челябинск
Самара
Красноярск
Казань
Ростов-на-Дону
Саратов
Пермь
Томск
Иркутск
Омск
Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 10.11.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 10.11.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.

☰