MUN5111T1G / ON Semiconductor
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус SC703 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 202 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 35 , Коэффициент усиления по току, max 60 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Характеристики
-
КорпусSC703
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность202 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min35
-
Коэффициент усиления по току, max60
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon