DTA114EUA / Yangjie
Yangjie
%
Добавить к сравнению
Корпус SOT323 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное -50 В, Ток коллектора -0.1 А, Граничная рабочая частота 250 МГц, Коэффициент усиления по току, min 30 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 10 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 10 кОм, Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 167076 шт | — |
0,64
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT323
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное-50 В
-
Ток коллектора-0.1 А
-
Граничная рабочая частота250 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min30
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи10 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ10 кОм
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
