BC846AW / Pan Jit
Добавить к сравнению
Корпус SOT323 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 65 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 110 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 18354 шт | — |
0,95
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT323
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное65 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Коэффициент усиления по току, min110
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
