2SJ471-E / Renesas
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 30 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 344 шт | — |
1 270,05
от 142 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность30 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 30A I(D), 30V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB