2SJ494-AZ / Renesas
Добавить к сравнению
Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 35 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.088ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 1940 шт | — |
738,46
от 500 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность35 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 20A I(D), 60V, 0.088ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET