2SB1132 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Транзистор биполярный
Корпус MPT3 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 500 мВт, Напряжение КЭ максимальное 32 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 150 МГц, Коэффициент усиления по току, min 82 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 260 шт | — |
163,99
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусMPT3
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность500 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное32 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота150 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min82
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
