2SB1424T100R / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO243 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 600 мВт, Напряжение КЭ максимальное 20 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 500 мВ, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 240 МГц, Коэффициент усиления по току, min 180 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 339199 шт | — |
34,49
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO243
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность600 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное20 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии500 мВ
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота240 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min180
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon