2SD2391T100Q / Rohm Semi
Добавить к сравнению
TRANSISTOR SOT-89;BCE NPN; Transistor Type:Medium Power; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:60V; Current, Ic Continuous a Max:1A; Voltage, Vce Sat Max:350mV; Power Dissipation:500mW; Hfe, Min:120; ft, Typ:210MHz; Case Style:SOT-89; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-55°C to +150°C
Корпус SOT89 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 350 мВ, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 210 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 5049 шт | — |
200,78
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT89
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии350 мВ
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота210 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin