2SB1561T100Q / Rohm Semi
Добавить к сравнению
TRANSISTOR SOT-89; BCE PNP; Transistor Type:Medium Power; Transistor Polarity:PNP; Voltage, Vceo:60V; Current, Ic Continuous a Max:1A; Voltage, Vce Sat Max:350mV; Power Dissipation:500mW; Hfe, Min:120; ft, Typ:200MHz; Case Style:SOT-89; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-55°C to +150°C
Корпус SOT89 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 45 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 95192 шт | — |
80,33
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT89
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min45
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon