2SC5659T2LP / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT723 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 25 В, Ток коллектора 50 мА, Граничная рабочая частота 300 МГц, Коэффициент усиления по току, min 82 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 17438 шт | — |
34,89
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT723
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное25 В
-
Ток коллектора50 мА
-
Граничная рабочая частота300 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min82
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon