2SC5824T100Q / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO243 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 3 А, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 39032 шт | — |
165,05
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO243
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора3 А
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon