2SD1767T100R / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус TO243 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 2 Вт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 700 мА, Граничная рабочая частота 120 МГц, Коэффициент усиления по току, min 120 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 166078 шт | — |
177,85
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO243
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность2 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное80 В
-
Ток коллектора700 мА
-
Граничная рабочая частота120 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min120
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.7A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon