BC848BT116 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 300 мВ, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 26060 шт | — |
16,21
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии300 мВ
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
