BC848BWT106 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT323 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 350 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 100 мА, Граничная рабочая частота 200 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 55816 шт | — |
38,13
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT323
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность350 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Ток коллектора100 мА
-
Граничная рабочая частота200 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
