DTC124EKA / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 200 мВт, Напряжение КЭ максимальное 50 В, Ток коллектора 30 мА, Коэффициент усиления по току, min 56 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное50 В
-
Ток коллектора30 мА
-
Коэффициент усиления по току, min56
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.03A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon