2SK209-GR / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 879 шт | — |
93,75
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Тип проводимости и конфигурацияN-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность150 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236