Корпус —, Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 150 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-236
Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
---|---|---|---|---|---|
875 шт | — |
93,08
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
|
|||||
|
|||||
|
|||||
Показать еще предложения
Скрыть предложения |
Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.