QS5U34TR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT235 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 1.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 180 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 240 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 240 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 1.8 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Максимальное напряжение затвора 10 В, Заряд затвора 2.5 нКл, Рассеиваемая мощность 900 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 110 пФ, Особенности Schottky Diode (Isolated)
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 3074 шт | — |
64,05
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT235
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток20 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса1.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)180 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min240 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max240 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min1.8 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Максимальное напряжение затвора10 В
-
Заряд затвора2.5 нКл
-
Рассеиваемая мощность900 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора110 пФ
-
ОсобенностиSchottky Diode (Isolated)