QS5U36TR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT235 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2.5 А, Сопротивление открытого канала (мин) 81 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 104 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 104 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 1.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Максимальное напряжение затвора 10 В, Заряд затвора 3.5 нКл, Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 280 пФ, Особенности Schottky Diode (Isolated)
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 5009 шт | — |
142,11
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT235
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток20 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса2.5 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)81 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min104 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max104 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min1.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Максимальное напряжение затвора10 В
-
Заряд затвора3.5 нКл
-
Рассеиваемая мощность1.25 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора280 пФ
-
ОсобенностиSchottky Diode (Isolated)