QS6M3TR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
MOSFET, DUAL, NP, 20V/30V, 1A
Корпус SOT236 , Тип проводимости и конфигурация N-CHANNEL AND P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 408886 шт | — |
155,86
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT236
-
Тип проводимости и конфигурацияN-CHANNEL AND P-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность1.25 Вт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET