QS8J11TCR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SMD8 , Тип проводимости и конфигурация P-CHANNEL , Рассеиваемая мощность 1.5 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 0.043ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| нет в наличии | — |
0,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSMD8
-
Тип проводимости и конфигурацияP-CHANNEL
-
Рассеиваемая мощность1.5 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 12V, 0.043ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET