QSH29TR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 1.25 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 500 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 2853 шт | — |
226,50
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность1.25 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное60 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Коэффициент усиления по току, min500
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon