QSX8TR / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT236 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 500 мВт, Напряжение КЭ максимальное 30 В, Ток коллектора 1 А, Граничная рабочая частота 320 МГц, Коэффициент усиления по току, min 270 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 7358 шт | — |
157,73
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT236
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность500 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное30 В
-
Ток коллектора1 А
-
Граничная рабочая частота320 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min270
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 30V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon