RUC002N05T116 / Rohm Semi
Добавить к сравнению
Корпус SOT23 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 50 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 200 мА, Сопротивление открытого канала (мин) 2.2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 2.4 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 2.4 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 1.2 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Максимальное напряжение затвора 8 В, Рассеиваемая мощность 200 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 25 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 77597 шт | — |
121,28
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT23
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток50 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса200 мА
-
Сопротивление открытого канала (мин)2.2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min2.4 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max2.4 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min1.2 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Максимальное напряжение затвора8 В
-
Рассеиваемая мощность200 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора25 пФ