RUF020N02TL / Rohm Semi
Добавить к сравнению
MOSFET, N-CH, 20V, 2A, SOT-323T
Корпус SOT323 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 20 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 2 А, Сопротивление открытого канала (мин) 105 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 135 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 135 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 1.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 4.5 В, Максимальное напряжение затвора 10 В, Заряд затвора 2 нКл, Рассеиваемая мощность 320 мВт, Примечание Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET , Ёмкость затвора 180 пФ
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 144944 шт | — |
103,85
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусSOT323
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток20 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса2 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)105 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min135 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max135 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min1.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max4.5 В
-
Максимальное напряжение затвора10 В
-
Заряд затвора2 нКл
-
Рассеиваемая мощность320 мВт
-
ПримечаниеSmall Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
-
Ёмкость затвора180 пФ