MJD112T4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 3 В; IК(макс): 2 А; Pрасс: 20 Вт; Fгран: 25 МГц
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 3 В, Ток коллектора 2 А, Граничная рабочая частота 25 МГц, Коэффициент усиления по току, min 200 , Коэффициент усиления по току, max 12000 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 15 Ом, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 100 Ом, Примечание Complementary Darlington MJD112 MJD117 Good hFE linearity
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность20 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии3 В
-
Ток коллектора2 А
-
Граничная рабочая частота25 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min200
-
Коэффициент усиления по току, max12000
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи15 Ом
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ100 Ом
-
ПримечаниеComplementary Darlington MJD112 MJD117 Good hFE linearity