MJD122T4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация NPN , Рассеиваемая мощность 20 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 4 В, Ток коллектора 8 А, Коэффициент усиления по току, min 100 , Коэффициент усиления по току, max 12000 , Встроенное сопротивление в базовой цепи 7 кОм, Встроенное сопротивление в цепи БЭ 70 Ом
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияNPN
-
Рассеиваемая мощность20 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии4 В
-
Ток коллектора8 А
-
Коэффициент усиления по току, min100
-
Коэффициент усиления по току, max12000
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи7 кОм
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ70 Ом