MJD32CT4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
Биполярный транзистор - [TO-252-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 100 В; UКЭ(пад): 1.2 В; IК(макс): 3 А; Pрасс: 15 Вт; h21: 10...50
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1.2 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 10 , Коэффициент усиления по току, max 50 , Примечание Complementary MJD32C MJD31C
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность15 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1.2 В
-
Ток коллектора3 А
-
Коэффициент усиления по току, min10
-
Коэффициент усиления по току, max50
-
ПримечаниеComplementary MJD32C MJD31C