MJD32CT4-A / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
TRANSISTOR, PNP, -100V, -3A, TO-252
Корпус TO252 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 15 Вт, Напряжение КЭ максимальное 100 В, Ток коллектора 3 А, Коэффициент усиления по току, min 10 , Примечание Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность15 Вт
-
Напряжение КЭ максимальное100 В
-
Ток коллектора3 А
-
Коэффициент усиления по току, min10
-
ПримечаниеPower Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-252AA, Plastic/Epoxy, 2 Pin