STD35NF06LT4 / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; Uси: 60 В; Iс(25°C): 35 А; Rси(вкл): 14...16 мОм; @Uзатв(ном): 4.5...10 В; Uзатв(макс): 16 В
Корпус TO252 , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C 35 А, Сопротивление открытого канала (мин) 17 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 14 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 16 мОм, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 4.5 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 16 В, Заряд затвора 33 нКл, Рассеиваемая мощность 80 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA , Ёмкость затвора 1 700 пФ
Характеристики
-
КорпусTO252
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C35 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)17 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min14 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max16 мОм
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min4.5 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора16 В
-
Заряд затвора33 нКл
-
Рассеиваемая мощность80 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 35A I(D), 60V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA
-
Ёмкость затвора1 700 пФ