STGP19NC60HD / ST Microelectronics
Не поставляется
Добавить к сравнению
IGBT транзистор -
Корпус TO220AB , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 40 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Время включения 25 нс, Время выключения 97 нс, Время восстановления диода 31 нс, Максимальная мощность 130 Вт, Заряд затвора 53 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
Предлагаем замену
Характеристики
-
КорпусTO220AB
-
Напряжение К-Э максимальное600
-
Ток коллектора максимальный при 25°C40 А
-
Напряжение насыщения К-Э2.5 В
-
Время включения25 нс
-
Время выключения97 нс
-
Время восстановления диода31 нс
-
Максимальная мощность130 Вт
-
Заряд затвора53 нКл
-
Тип входастандартный
-
ПримечаниеInsulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB