Москва

+7 (495) 488-65-70

Корзина пуста
Загрузка списка товаров из файла
SALE!-10% -20% -30% -40% -50% -60%
дефицитные компоненты
STGP19NC60HD

STGP19NC60HD / ST Microelectronics

Не поставляется

Добавить к сравнению
IGBT транзистор -

Корпус TO220AB , Напряжение К-Э максимальное 600 , Ток коллектора максимальный при 25°C 40 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Время включения 25 нс, Время выключения 97 нс, Время восстановления диода 31 нс, Максимальная мощность 130 Вт, Заряд затвора 53 нКл, Тип входа стандартный , Примечание Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

Описания и документация

s/stgp19nc60hd.pdf
STGP19NC60HD.pdf

Характеристики

  • Корпус
    TO220AB
  • Напряжение К-Э максимальное
    600
  • Ток коллектора максимальный при 25°C
    40 А
  • Напряжение насыщения К-Э
    2.5 В
  • Время включения
    25 нс
  • Время выключения
    97 нс
  • Время восстановления диода
    31 нс
  • Максимальная мощность
    130 Вт
  • Заряд затвора
    53 нКл
  • Тип входа
    стандартный
  • Примечание
    Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB

  • Москва
  • Санкт-Петербург
  • Мурманск
  • Ульяновск
  • Новосибирск
  • Екатеринбург
  • Краснодар
  • Нижний Новгород
  • Воронеж
  • Уфа
  • Челябинск
  • Самара
  • Красноярск
  • Казань
  • Ростов-на-Дону
  • Саратов
  • Пермь
  • Томск
  • Иркутск
  • Омск
  • Тюмень

Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Список позиций из корзины сохранен в Списке товаров
Актуальность предложений на товары в корзине истекла, данные были удалены 17.07.2025 в 00:00:00 (Мск.) Зарегистрируйтесь или авторизуйтесь на сайте, если регистрировались ранее, чтобы сохранять список товаров из корзины

Данный товар получен от клиентов, которые купили его для целей производства, но он оказался не востребован. Возможно отсутствие ГТД и страны происхождения.