2SA1972 / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус TO92 , Тип проводимости и конфигурация PNP , Рассеиваемая мощность 900 мВт, Напряжение КЭ максимальное 400 В, Напряжение падения КЭ в открытом состоянии 1 В, Ток коллектора 500 мА, Граничная рабочая частота 35 МГц, Коэффициент усиления по току, min 140 , Примечание Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 25 шт | — |
368,48
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO92
-
Тип проводимости и конфигурацияPNP
-
Рассеиваемая мощность900 мВт
-
Напряжение КЭ максимальное400 В
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии1 В
-
Ток коллектора500 мА
-
Граничная рабочая частота35 МГц
-
Коэффициент усиления по току, min140
-
ПримечаниеSmall Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon