2SK2267 / Toshiba
%
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 60 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 60 А, Сопротивление открытого канала (мин) 15 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 15 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 15 мОм, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 25 шт | — |
380,00
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток60 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса60 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)15 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min15 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max15 мОм
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 60A I(D), 60V, 0.015ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET