2SK2611 / Toshiba
Добавить к сравнению
Транзистор полевой
Корпус TO3P , Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 900 В, Ток стока номинальный при 25°C 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 1.2 Ом, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 1.2 Ом, Диапазон номинальных напряжений затвора, min 10 В, Диапазон номинальных напряжений затвора, max 10 В, Максимальное напряжение затвора 30 В, Заряд затвора 58 нКл, Рассеиваемая мощность 150 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 69 шт | — |
4 871,05
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
КорпусTO3P
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток900 В
-
Ток стока номинальный при 25°C9 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)1.2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min1.2 Ом
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max1.2 Ом
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, min10 В
-
Диапазон номинальных напряжений затвора, max10 В
-
Максимальное напряжение затвора30 В
-
Заряд затвора58 нКл
-
Рассеиваемая мощность150 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 9A I(D), 900V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
_500.jpeg)