TK9J90E.S1ES / Toshiba

Добавить к сравнению

Транзисторы D-MOS (с двойной диффузией) восьмого поколения, семейства Toshiba π-MOSVIII MOSFET, в которых сочетаются высокая степень интеграции и оптимизированная конструкция. Они имеют меньший заряд и емкость затвора по сравнению с предыдущими поколениями, сохраняя при этом низкое сопротивление канала в открытом состоянии R_DS(ON). Доступны модели с напряжением сток-исток 800 и 900 В при токах коммутации до 10 А.

Особенности:

Максимальное сопротивление сток-исток в открытом состоянии (R_DS(ON)): 0.7…5.9 Ом (при V_GS 10 В);
Напряжение исток-сток (V_DSS): 800, 900 В;
Напряжение затвор-исток (V_GSS): ±30 В;
Ток стока (I_D ): 2…10 А;
Рассеиваемая мощность (P_D): 45…250 Вт;
Входная емкость (C_ISS): 500…2000 пФ;
Заряд затвора: 12…46 нКл;
Корпуса: DPAK, TO-220SIS, TO-3P(N)

Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 900 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 9 А, Сопротивление открытого канала (мин) 1.3 Ом

Сортировка
Количество	Отгрузка	Цена с НДС	Примечание	Купить	Сумма
2630 шт	—	444,60 от 1 шт		− +	0
Поиск по складам...
Информация о ценах и сроках поставки носит информационный характер. Офертой является только выставленный счет.
Внимание! 'Отгрузка' не учитывает дни доставки, которые зависят от выбранного способа получения и адреса доставки.
+ Показать еще предложения − Скрыть предложения