TK13A60D / Toshiba
Добавить к сравнению
Корпус —, Конфигурация и полярность N , Максимальное напряжение сток-исток 600 В, Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса 13 А, Сопротивление открытого канала (мин) 430 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min 430 мОм, Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max 430 мОм, Рассеиваемая мощность 50 Вт, Примечание Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
| Количество |
Отгрузка
|
Цена с НДС
|
Примечание | Купить | Сумма |
|---|---|---|---|---|---|
| 116 шт | — |
72,87
от 1 шт
|
−
+
|
0
|
|
Характеристики
-
Корпус—
-
Конфигурация и полярностьN
-
Максимальное напряжение сток-исток600 В
-
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса13 А
-
Сопротивление открытого канала (мин)430 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), min430 мОм
-
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном), max430 мОм
-
Рассеиваемая мощность50 Вт
-
ПримечаниеPower Field-Effect Transistor, 13A I(D), 600V, 0.43ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET