MOSFET-транзисторы с новейшей Trench-технологией

Представляем вам новые MOSFET-транзисторы International Rectifier, предназначенные для применения в силовых преобразовательных устройствах промышленных и телекоммуникационных источников питания, источниках бесперебойного питания, электроприводе с батарейным питанием и силовой автоэлектронике.
Новая серия силовых MOSFET-транзисторов на напряжение сток-исток от 20 В до 60 В с ультранизким сопротивлением открытого канала (Rds(on)) является эффективным средством решения задач по минимизации потерь проводимости в силовых преобразовательных устройствах.
Преимущества MOSFET транзисторов данных серий:
- новейшая Trench-технология кристалла с ультранизким удельным сопротивлением канала ячейки;
- снижение сопротивления открытого канала до 2,5 раза по сравнению с предыдущим поколением;
- лучшие показатели сопротивления открытого канала в отрасли без применения дорогих низкоомных корпусов и специальных схем разварки кристалла;
- высокие динамические характеристики и низкая мощность управления;
- высокая устойчивость к лавинному пробою.
Наименование | Канал | Vds | Rds(on), тип., 10В | Qg, тип. | Id (T=25°C) | Корпус |
N | 20 В | 3.4 мОм | 21 нК | 30 А | D-PAK | |
N | 25 В | 6.3 мОм | 6.8 нК | 42 А | D-PAK | |
N | 25 В | 6.3 мОм | 6.8 нК | 42 А | I-PAK | |
N | 25 В | 4.2 мОм | 10 нК | 50 А | D-PAK | |
N | 25 В | 4.2 мОм | 10 нК | 50 А | I-PAK | |
N | 30 В | 4.0 мОм | 15 нК | 50 А | D-PAK | |
N | 30 В | 6.0 мОм | 10 нК | 50 А | D-PAK | |
N | 30 В | 6.3 мОм | 8.5 нК | 50 А | D-PAK | |
N | 30 В | 6.3 мОм | 8.5 нК | 50 А | I-PAK | |
N | 30 В | 6.5 мОм | 7.6 нК | 62 А | TO-220AB | |
N | 30 В | 2.5 мОм | 36 нК | 78 А | TO-220AB | |
N | 30 В | 3.8 мОм | 3.8 нК | 78 А | TO-220AB | |
N | 30 В | 6.4 мОм | 27 нК | 90 А | D2-PAK | |
N | 30 В | 4.8 мОм | 23 нК | 105 А | D2-PAK | |
N | 30 В | 1.4 мОм | 108 нК | 195 А | TO-247AC | |
N | 40 В | 3.9 мОм | 40 нК | 42 А | D-PAK | |
N | 40 В | 4.3 мОм | 59 нК | 42 А | I-PAK | |
N | 40 В | 7.3 мОм | 30 нК | 77 А | I-PAK | |
N | 40 В | 4.3 мОм | 59 нК | 119 А | D-PAK | |
N | 40 В | 1.4 мОм | 160 нК | 195 А | D2-PAK | |
N | 55 В | 13.5 мОм | 23 нК | 42 А | D-PAK | |
N | 60 В | 12.6 мОм | 22 нК | 43 А | I-PAK | |
N | 60 В | 7.1 мОм | 46 нК | 79 А | D2-PAK | |
N | 60 В | 3.3 мОм | 85 нК | 120 А | D2-PAK |
Перейти в каталог Терраэлектроники
Опубликовано: 17.08.2009