Биполярные транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Биполярные транзисторы

Товары в наличии
Распродажа
Наименование
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Встроенное сопротивление в базовой цепи
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
Примечание

Фильтр×

Производитель:
LRC ×

Найдено: 558

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Корпус	Тип проводимости и конфигурация	Комплементарная пара	Рассеиваемая мощность	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии	Граничная рабочая частота	Коэффициент усиления по току, max	Встроенное сопротивление в базовой цепи	Встроенное сопротивление в цепи БЭ	Примечание
LMUN2233LT1G (LRC) Выбрать →	13 653 613 шт.	от 0,84	0 дн. Немедленно	—		—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
LBC847BLT1G (LRC) Выбрать →	9 797 948 шт.	от 0,62	0 дн. Немедленно	—		—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LBC846BPDW1T1G (LRC) % Выбрать →	3 328 974 шт.	от 0,56	0 дн. Немедленно	—	—	—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP
LMBTA92LT1G (LRC) Выбрать →	5 449 395 шт.	от 0,96	0 дн. Немедленно	—		—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
LMUN2111LT1G (LRC) Выбрать →	6 130 598 шт.	от 0,88	0 дн. Немедленно	—		—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
LMBTA64LT1G (LRC) хит Выбрать →	3 284 227 шт.	от 1,40	0 дн. Немедленно	—		—	—			—	—	—	—
LMUN5211DW1T1G (LRC) % Выбрать →	3 252 944 шт.	от 1,20	0 дн. Немедленно	—	—	—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN, Silicon
LBC847CLT1G (LRC) Выбрать →	2 163 330 шт.	от 0,55	3 дн.			—	—				—	—	—
LBC817-40LT1G (LRC) Выбрать →	11 774 938 шт.	от 0,70	3 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LBC857BLT1G (LRC) Выбрать →	6 990 398 шт.	от 0,62	3 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
LMBT3906LT1G (LRC) Выбрать →	24 023 863 шт.	от 0,32	3 дн.			—		—	—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB
L8050HRLT1G (LRC) Выбрать →	12 894 042 шт.	от 0,67	11 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
L8550HQLT1G (LRC) Выбрать →	18 215 582 шт.	от 0,55	12 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
L8550HRLT1G (LRC) Выбрать →	5 787 342 шт.	от 0,54	12 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
LBC856BWT1G (LRC) Выбрать →	401 900 шт.	от 1,49	15 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
LBSS5240LT1G (LRC) Выбрать →	2 827 308 шт.	от 1,86	12 дн.			—	—			—	—	—	—
LH8050QLT1G (LRC) Выбрать →	7 228 260 шт.	от 0,84	11 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
LH8550QLT1G (LRC) Выбрать →	5 073 280 шт.	от 1,00	12 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, PNP
LMBT2222ALT1G (LRC) Выбрать →	14 439 915 шт.	от 0,58	3 дн.			—		—	—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LMBT2907ALT1G (LRC) Выбрать →	14 288 358 шт.	от 0,54	12 дн.			—		—	—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 28, показано 20 товаров из 558

Биполярные транзисторы – активные полупроводниковые компоненты, предназначенные для получения усиленной мощности сигнала при оптимальном значении управляющего напряжения на соответствующем p-n переходе.

В зависимости от технологии изготовления биполярные транзисторы делятся на два типа: тип p - n–p и тип n-p-n.

Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы.

Основное назначение кремниевого транзистора в схеме с общим эмиттером состоит в усилении тока коллектора при заданном расчётном значении управляющего напряжения на p-n переходе эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение рабочей точки на p-nпереходе между эмиттером и базой составляет 0,7 В.

Ключевыми в оценке работы транзисторов являются: альфа, бета и h-параметры.

Биполярные транзисторы получили широкое распространение и применение в научных целях, в области промышленного приборостроения, используются в технике связи и медицине.