Биполярные транзисторы - купить по выгодной цене в ДКО Электронщик. Заказ на сайте www.electronshik.ru с доставкой по России.

Биполярные транзисторы

Товары в наличии
Распродажа
Наименование
Корпус
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Встроенное сопротивление в базовой цепи
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
Примечание

Фильтр×

Производитель:
LRC ×

Найдено: 558

Вид:

Наименование \| Рекомендуем	Количество	Цена с НДС	Отгрузка	Корпус	Тип проводимости и конфигурация	Комплементарная пара	Рассеиваемая мощность	Напряжение падения КЭ в открытом состоянии	Граничная рабочая частота	Коэффициент усиления по току, max	Встроенное сопротивление в базовой цепи	Встроенное сопротивление в цепи БЭ	Примечание
LBC846BPDW1T1G (LRC) % Выбрать →	3 228 266 шт.	от 1,10	0 дн. Немедленно	—	—	—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP
LBC847BLT1G (LRC) Выбрать →	8 904 676 шт.	от 0,61	0 дн. Немедленно	—		—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LMBTA64LT1G (LRC) хит Выбрать →	3 483 977 шт.	от 1,70	0 дн. Немедленно	—		—	—			—	—	—	—
LMBTA92LT1G (LRC) Выбрать →	6 331 265 шт.	от 0,90	0 дн. Немедленно	—		—				—	—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
LMUN2111LT1G (LRC) Выбрать →	8 322 328 шт.	от 0,90	0 дн. Немедленно	—		—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon
LMUN2233LT1G (LRC) Выбрать →	12 647 347 шт.	от 0,81	0 дн. Немедленно	—		—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, NPN, Silicon
LMUN5211DW1T1G (LRC) % Выбрать →	3 294 230 шт.	от 1,80	0 дн. Немедленно	—	—	—		—	—	—			Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 2-Element, NPN, Silicon
L8050HPLT1G (LRC) Выбрать →	101 864 шт.	от 0,64	17 дн.			—	—		—		—	—	—
L8050HRLT1G (LRC) Выбрать →	11 764 388 шт.	от 0,65	11 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
L8550HPLT1G (LRC) Выбрать →	517 060 шт.	от 0,79	13 дн.			—	—		—		—	—	—
L8550HQLT1G (LRC) Выбрать →	11 981 782 шт.	от 0,54	12 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
L8550HRLT1G (LRC) Выбрать →	8 132 562 шт.	от 0,53	12 дн.			—			—		—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 1-Element, NPN
L9015RLT1G (LRC) Выбрать →	4 446 220 шт.	от 0,53	17 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP
LBC807-40WT1G (LRC) Выбрать →	641 000 шт.	от 0,94	12 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 1-Element, PNP
LBC817-40LT1G (LRC) Выбрать →	11 297 168 шт.	от 0,64	3 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
LBC846BWT1G (LRC) Выбрать →	4 092 392 шт.	от 1,31	13 дн.			—	—				—	—	—
LBC847AWT1G (LRC) Выбрать →	819 180 шт.	от 0,88	12 дн.			—	—				—	—	—
LBC847CLT1G (LRC) Выбрать →	2 468 384 шт.	от 0,69	3 дн.			—	—				—	—	—
LBC856BWT1G (LRC) Выбрать →	697 800 шт.	от 0,98	11 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
LBC857BLT1G (LRC) Выбрать →	7 148 380 шт.	от 0,66	3 дн.			—					—	—	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

12 3 4 5 6 7 8 9

Страница 1 из 28, показано 20 товаров из 558

Биполярные транзисторы – активные полупроводниковые компоненты, предназначенные для получения усиленной мощности сигнала при оптимальном значении управляющего напряжения на соответствующем p-n переходе.

В зависимости от технологии изготовления биполярные транзисторы делятся на два типа: тип p - n–p и тип n-p-n.

Наибольшее распространение в технике связи получили биполярные (кремниевые) транзисторы.

Основное назначение кремниевого транзистора в схеме с общим эмиттером состоит в усилении тока коллектора при заданном расчётном значении управляющего напряжения на p-n переходе эмиттер-база. Для кремниевого транзистора оптимальное значение рабочей точки на p-nпереходе между эмиттером и базой составляет 0,7 В.

Ключевыми в оценке работы транзисторов являются: альфа, бета и h-параметры.

Биполярные транзисторы получили широкое распространение и применение в научных целях, в области промышленного приборостроения, используются в технике связи и медицине.