Биполярные транзисторы
?page=19&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Тип проводимости и конфигурация
-
Комплементарная пара
-
Рассеиваемая мощность
-
Напряжение КЭ максимальное
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
-
Ток коллектора
-
Граничная рабочая частота
-
Коэффициент усиления по току
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 10999
Вид:
| | | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UMD22N (YJ) % | 104 910 шт. | от 1,70 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
| BCP53-16 (JSCJ) | 435 320 шт. | от 3,20 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
| BCP56-10 (JSCJ) % | 169 064 шт. | от 3,10 |
0 дн. Немедленно |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| BCP56-16 (JSCJ) % | 773 127 шт. | от 3,20 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
| BC817G-40-AE3-R (UTC) % | 691 953 шт. | от 1,20 |
0 дн. Немедленно |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| MJD32CQ (YJ) | 30 780 шт. | от 13,80 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
— | — | — | — | — |
| MJD31C (YJ) | 18 916 шт. | от 11,00 |
0 дн. Немедленно |
 |
— | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — |
| DTD114EKT146 (ROHM) % | 220 704 шт. | от 7,50 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
MUN5235DW1T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
|
FZT1053ATA (DIODES)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin |
|
BCX41TA (DIODES)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — |
|
MUN5213T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
BC847CDXV6T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
|
MUN5133DW1T1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon |
|
BUV22G (ONS)
|
не поставляется | — | — | — |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Power Bipolar Transistor, 40A I(C), 250V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-204AE, Metal, 2 Pin |
|
BC807-40WT1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
DDTC114EUA-7-F (DIODES)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
ZXT10N50DE6TA (DIODES)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 6 Pin |
|
ZX5T851GTA (DIODES)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | — | — |
|
BC846AS-7 (DIODES)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon |
bipolyarnye-tranzistory