Биполярные транзисторы
?page=6&sort=ItemsParamsX.rank&direction=desc
- Производитель
- Наименование
-
Корпус
-
Тип проводимости и конфигурация
-
Комплементарная пара
-
Рассеиваемая мощность
-
Напряжение КЭ максимальное
-
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
-
Ток коллектора
-
Граничная рабочая частота
-
Коэффициент усиления по току
-
Встроенное сопротивление в базовой цепи
-
Встроенное сопротивление в цепи БЭ
-
Примечание
Фильтр×
- ×
Найдено: 11009
Вид:
| | | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC856B (MCC)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
| BC857C (DC) | 475 147 шт. | от 1,30 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
— | — | — |
|
BC858CLT1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
BCX17LT1G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB |
|
BD682 (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
| BUX48A (ISC) хит % | 5 634 шт. | от 393,88 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
— | — | — | — |
| BUX98A (ISC) | 5 213 шт. | от 638,10 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— | — | — | — | — | — |
| DTC114EKAT146 (ROHM) | 3 506 391 шт. | от 1,20 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
— | — | — | — | — |
|
FCX690BTA (DIODES)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
|
MD1802FX (ST)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
— |
 |
 |
— | — | Power Bipolar Transistor, 10A I(C), 700V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
|
MJD117G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 2 Pin |
| MJE15032 (ISC) | 1 092 шт. | от 29,20 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | — |
|
MJF18004G (ONS)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— | — | Power Bipolar Transistor, 5A I(C), 450V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin |
|
MMBT2222A (DIOTEC)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
|
MMBT2907A (DIOTEC)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236 |
|
MMBT3904 (DIOTEC)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
— |
 |
 |
— | — | — |
| MMBT3906 (UTC) % | 17 015 шт. | от 1,10 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
— | — |
 |
 |
 |
— | — | — |
 |
| MMBT5401 (YJ) хит | 363 100 шт. | от 342,85 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
| MMBT5551 (YJ) хит | 428 369 шт. | от 1,46 |
0 дн. Немедленно |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
 |
— | — | — |
|
MMBTA42 (DIOTEC)
|
не поставляется | — | — |
 |
 |
— |
 |
 |
— |
 |
 |
 |
— | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 300V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236 |
bipolyarnye-tranzistory